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[I類] 先進ナノマテリアル科学研究室

材料理工学メジャー


教授 吾郷浩樹,  
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近年、原子の厚みしかない二次元の原子シート(二次元材料)が、シリコンに代わる 次世代の半導体材料として、非常に大きな注目を集めています。当研究室では、炭素 からなる原子膜で優れた電気特性を示すグラフェン、二次元半導体である遷移金 属ダイカルコゲナイド(TMD)と呼ばれる二次元半導体材料、そして二次元絶縁膜で ある六方晶窒化ホウ素 (hBN)などを扱っています。特に、化学蒸着法(CVD法)に よる高品質合成を基盤として、新規な物性の発現やトランジスタ・メモリ応用に関す る研究を行っています。さらに、複数の二次元物質を積層した、高機能の2.5次元物 質を作り出す最先端の研究を進めています。未来の半導体デバイスを見据えた材料の サイエンスとデバイス開発を展開しています。


●二次元材料の成長と反応機構、及び応用展開
●二次元半導体材料(遷移金属カルコゲナイド)による次世代エレクトロニクス応用
●2.5次元物質のコンセプトに基づく新しい科学と応用の推進


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