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[Ⅱ類] 機能デバイス工学研究室
デバイス理工学メジャー
当研究室では、情報通信機器の構成部品である集積回路（LSI）の更なる高性能化・多機能化のために、More Moore, More than Moore, Beyond CMOS等といった新技術の研究を行っています。 具体的には、トランジスタや発光デバイスといった半導体素子を高性能化するための、IV族半導体プロセス技術（薄膜材料形成・加工技術）の研究、デバイス試作、材料の電子・光機能の評価とその技術開発を行っています。これらの研究を行うための、200 m2のクリーンルームと各種プロセス装置・評価装置を完備しています。 当研究室では、修士課程（2年間）の学生には「応用物理学会（全国）での発表」と「国際学会への投稿」を標準的な課題として設けています。
●先端CMOSにおける材料・プロセス技術開発
●Geオプトエレクトロニクス
●GeトンネルFET, スピンMOSFET
●ガラス/プラスチック基板上のGe, GeSn-TFT
●3C-SiC MOSFET技術開発